2019年中合肥長(zhǎng)鑫率先量產(chǎn)了自研的DDR4內(nèi)存芯片，現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)內(nèi)存也越來(lái)越多，全球第一大NOR閃存供應(yīng)商兆易創(chuàng)新日前透露，他們的DDR4內(nèi)存今年上半年問(wèn)世。

在投資者交流會(huì)上，有人問(wèn)到了兆易創(chuàng)新自研的DDR內(nèi)存情況，該公司回應(yīng)稱(chēng)，自有品牌的內(nèi)存將在這個(gè)季度問(wèn)世，首發(fā)的產(chǎn)品是DDR4內(nèi)存，19nm工藝。

不過(guò)這個(gè)內(nèi)存應(yīng)該不會(huì)出現(xiàn)在PC零售市場(chǎng)，主要是面向消費(fèi)電子、IPTV等應(yīng)用。

需要注意的是，雖然提問(wèn)者問(wèn)的是自研的DDR芯片，但兆易創(chuàng)新回應(yīng)的是自有品牌內(nèi)存，所以這個(gè)19nm的DDR4內(nèi)存很有可能之前大單采購(gòu)長(zhǎng)鑫的DDR4芯片，兆易創(chuàng)新自己做的內(nèi)存模組。

當(dāng)然，兆易創(chuàng)新也在研發(fā)自己的內(nèi)存芯片，2019年底就募資33億用于內(nèi)存研發(fā)，他們還公布了內(nèi)存研發(fā)的路線圖，如下所示：

2020年，兆易創(chuàng)新將啟動(dòng)首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝。

2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱(chēng)，并將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開(kāi)展流片試樣，反復(fù)修改直至通過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證。

2021年，對(duì)首款芯片試樣進(jìn)行封裝測(cè)試，并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證，并最終通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證。

2021年，首款芯片通過(guò)驗(yàn)證之后進(jìn)行小批量生產(chǎn)，測(cè)試成功后進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

2022-2025年，進(jìn)行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。