相信不少人在為電腦選擇固態(tài)硬盤時(shí)，必然是優(yōu)先選擇M.2接口的NVMe固態(tài)硬盤，因?yàn)槠鋫鬏斔俣冗h(yuǎn)高于SATA接口的固態(tài)硬盤。另一方面，盡管最新的PCIe 4.0固態(tài)硬盤傳輸速度可達(dá)7000MB/s，各大品牌也推出了支持PCIe 4.0的固態(tài)硬盤，不過價(jià)格普遍都很昂貴，性價(jià)比并不高，因此PCIe 3.0固態(tài)硬盤依然是性價(jià)比的選擇。

致鈦PC005 Active作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款消費(fèi)級(jí)M.2固態(tài)硬盤產(chǎn)品，在技術(shù)規(guī)格上，支持PCIe 3.0×4總線通道，NVMe 1.3協(xié)議，官方標(biāo)稱讀取速度可達(dá)3500MB/s，而最讓小酥關(guān)注的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)閃存顆粒，具體的讀寫性能表現(xiàn)處于哪個(gè)水平，主控發(fā)熱以及讀寫穩(wěn)定性到底如何，可否媲美其它品牌的同級(jí)別固態(tài)硬盤產(chǎn)品，接下來小酥通過實(shí)際測(cè)試告訴大家。

從包裝盒上信息可知，固態(tài)硬盤搭載的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)的閃存顆粒，以及讀取速度可達(dá)3500MB/s，容量版本貼側(cè)面的封條上，背面印有閃存顆粒的一些簡(jiǎn)要介紹，五年質(zhì)保等信息。

這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤為標(biāo)準(zhǔn)M.2 2280尺寸規(guī)格，并采用單面顆粒布局設(shè)計(jì)，讓其有著廣泛的適用性，有利于輕薄筆記本電腦升級(jí)或者擴(kuò)展存儲(chǔ)空間，正面是產(chǎn)品型號(hào)的貼紙，在貼紙下方是主控芯片、緩存顆粒以及閃存顆粒。

這系列的固態(tài)硬盤目前共有256GB、512GB、1T三種容量可供選擇，個(gè)人認(rèn)為在預(yù)算允許的情況下建議選擇大容量的版本，可以減少后期升級(jí)或維護(hù)的麻煩。

致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤支持NVMe 1.3標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，走PCIe 3.0×4總線通道，官方標(biāo)稱固態(tài)硬盤的持續(xù)讀寫速度分別可達(dá)3500MB/s與2500MB/s，1TB容量版的寫入速度更高，可達(dá)2900MB/s，至于實(shí)際的讀寫性能，等下會(huì)有詳細(xì)的測(cè)試。

接下來看看這款固態(tài)硬盤的內(nèi)部用料，撕下正面的貼紙后即可看到PCB板上芯片，從上面的元件分布來看，由一顆主控芯片、一顆緩存芯片與兩顆閃存芯片組成，這款固態(tài)硬盤的質(zhì)保期是五年，質(zhì)保寫入量是320TBW（512GB版），因此不建議撕掉表面的標(biāo)簽紙，很有可能會(huì)影響到后續(xù)的保修等服務(wù)。

致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤所搭載的主控是慧榮的SM2262EN，支持PCIe 3.0 x4傳輸通道以及NVMe 1.3協(xié)議，屬于比較常見的高端PCIe 3.0固態(tài)硬盤主控芯片，并搭載了一顆DDR4緩存芯片，型號(hào)是南亞的NT5AD256M16D4-HR，運(yùn)行頻率為2666MHz，單顆容量為512MB。

終于到了小酥最為關(guān)心的閃存芯片部分，固態(tài)硬盤搭載的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自家基于Xtacking架構(gòu)的3D TLC閃存顆粒，屬于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第二代3D閃存芯片，型號(hào)為YMN08TE1B3LC3B，單個(gè)閃存顆粒容量為256GB，共兩顆組成512GB容量。

假如是將固態(tài)硬盤安裝在筆記本電腦里，需要事前了解支持的尺寸規(guī)格、接口的協(xié)議。除了這些以外固態(tài)硬盤的安裝操作可謂是零門檻。

接下來測(cè)試致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤的讀寫性能，為了能最大程度的展現(xiàn)其讀寫性能水平，本次配合桌面平臺(tái)來測(cè)試，硬件配置為英特爾十一代i5-11500處理器，內(nèi)存是DDR4 3200MHz 8GB*4，搭配Z590芯片組主板，支持PCIe 4.0技術(shù)，硬件性能應(yīng)該不存在瓶頸問題，系統(tǒng)是Windows 10 21H1。

本次使用的Z590主板共配備四個(gè)M.2插槽，其中前三個(gè)M.2插槽均支持PCIe 4.0 ×4傳輸速率，而最上面的M.2插槽直連處理器且獨(dú)享傳輸帶寬，可確保固態(tài)硬盤能獲得最大傳輸速度，因此是最為推薦使用的M.2插槽，不過主板并沒有自帶散熱模塊。

為了測(cè)試固態(tài)硬盤在覆蓋散熱模塊前后的讀寫性能對(duì)比，本次將其安裝主板的第二個(gè)M.2插槽上，因?yàn)槠渖戏接泻駥?shí)的金屬散熱模塊覆蓋，該M.2插槽與顯卡的PCI-E ×16插槽共享傳輸帶寬的，因此不存在傳輸帶寬不足的情況。

致鈦提供了YMTC Smart Tool的硬盤工具，不過功能比較有限且下載渠道單一，本次就不去展示了，從Crystal Disk Info軟件中的檢測(cè)狀態(tài)信息可見，這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤支持NVMe 1.3標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，工作在PCIe 3.0 x4通道之下，實(shí)際可用容量為476GB。

接下來是讀寫性能基準(zhǔn)測(cè)試環(huán)節(jié)，基準(zhǔn)測(cè)試軟件CrystalDiskMark 8.0版本，最大連續(xù)讀寫速度分別為3466MB/s與2319MB/s，單純看連續(xù)讀取速度的話，已經(jīng)達(dá)到了PCIe3.0 x4通道的傳輸帶寬極限。

在AS SSD Benchmark基準(zhǔn)性能測(cè)試中，這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤的持續(xù)讀取速度達(dá)到2968MB/s以上，而寫入速度為1949MB/s，讀寫延遲時(shí)間也只有0.02ms，得分為3907分，這個(gè)成績(jī)?cè)赑CIe3.0固態(tài)硬盤當(dāng)中處于優(yōu)異水平了。

Anvil's Storage Utilities基準(zhǔn)測(cè)試軟件，所測(cè)試的項(xiàng)目更多而且顯示的信息更詳細(xì)直觀，致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤的總得分14611分，實(shí)測(cè)持續(xù)讀寫速度分別為2848MB/s和2111MB/s。

HD Tune Pro基準(zhǔn)測(cè)試軟件，主要是測(cè)試固態(tài)硬盤的SLC緩存空間大小，以及SLC緩存空間耗盡后，閃存顆粒的實(shí)際寫入速度，本次測(cè)試數(shù)據(jù)量達(dá)到20GB，從測(cè)試結(jié)果來說固態(tài)硬盤的SLC緩存空間約為6GB左右，在緩內(nèi)可提供3GB/s的讀取速度、2.3GB/s的寫入速度，當(dāng)SLC緩存空間耗盡，讀取速度依然保持不變，而寫入速度會(huì)降至500MB/s左右。

通過以上的讀寫速度基準(zhǔn)測(cè)試，這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤的讀寫性能確實(shí)相當(dāng)?shù)牧裂?，持續(xù)讀取速度可達(dá)3GB/s以上，而寫入速度也能有2GB/s左右，在PCIe3.0固態(tài)硬盤當(dāng)中穩(wěn)坐第一梯隊(duì)，接下來使用PCMark8軟件來固態(tài)硬盤進(jìn)行實(shí)用性測(cè)試，實(shí)測(cè)硬盤讀寫性能單項(xiàng)分?jǐn)?shù)為5080分，其存儲(chǔ)帶寬為553.9MB/s。

以上的讀寫性能測(cè)試均在空盤的狀態(tài)下，那么接下來測(cè)試這款固態(tài)硬盤在80%的負(fù)載下的性能表現(xiàn)并進(jìn)行對(duì)比，更貼合實(shí)際應(yīng)用且參考下更強(qiáng)，往固態(tài)硬盤復(fù)制379GB的游戲數(shù)據(jù)文件，不得不說現(xiàn)在的游戲體積真的大，單個(gè)游戲已經(jīng)達(dá)到100GB以上。

先來讀寫性能基準(zhǔn)測(cè)試，在80%負(fù)載狀態(tài)下，持續(xù)讀取速度達(dá)到2929MB/s以上，而寫入速度為2267MB/s，寫入速度比空盤狀態(tài)下不降反升，而4K隨機(jī)讀寫性能在兩種負(fù)載狀態(tài)下幾乎沒變化。

接下來是HD Tune Pro基準(zhǔn)測(cè)試軟件，這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤在空盤與80%負(fù)載兩種狀態(tài)下同樣沒明顯變化，持續(xù)讀取速度依然保持在3GB/s左右，而緩后寫入速度也在500MB/s左右。

PCMark8基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)同樣沒有變化，最終得分為5089分，通過實(shí)際的測(cè)試結(jié)果來看，固態(tài)硬盤在塞入大量文件的狀態(tài)下讀寫性能依然非常穩(wěn)定，無論是持續(xù)讀寫速度還是基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)并沒有出現(xiàn)衰減。

最后是溫度測(cè)試環(huán)節(jié)，從HWiNFO64監(jiān)測(cè)軟件中可見，固態(tài)硬盤共有三個(gè)溫度傳感器，首個(gè)傳感器應(yīng)該是主控芯片的，其余兩個(gè)應(yīng)該是閃存顆粒的，為了貼近真實(shí)運(yùn)行狀態(tài)以及不同主板環(huán)境，會(huì)在無散熱模塊與搭配主板散熱模塊兩種狀態(tài)下，測(cè)試固態(tài)硬盤的運(yùn)行溫度，測(cè)試時(shí)室溫23℃左右。

先來測(cè)試實(shí)際讀寫狀態(tài)下的溫度，往固態(tài)硬盤內(nèi)持續(xù)寫入379GB游戲文件數(shù)據(jù)，由于數(shù)據(jù)是從SATA固態(tài)硬盤中復(fù)制的，且游戲零碎文件比較多用時(shí)比較長(zhǎng)，整個(gè)寫入過程接近35分鐘，平均寫入大約在200MB/s左右，在無散熱模塊下固態(tài)硬盤最高溫度約為60℃。

日常運(yùn)行的溫度其實(shí)還算低了，空閑溫度只有35℃，而一般讀寫時(shí)溫度約45℃，接下來使用HD Tune Pro基準(zhǔn)測(cè)試軟件對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行滿載壓力測(cè)試，在文件基準(zhǔn)模式下，測(cè)試數(shù)據(jù)量為100GB，在無散熱模塊下固態(tài)硬盤最高溫度達(dá)到70℃，應(yīng)該是觸碰到溫度墻。

在100GB文件連續(xù)讀寫的滿載壓力測(cè)試中，且在無散熱模塊輔助散熱的情況下，固態(tài)硬盤的寫入速度并沒有下降，而讀取速度因觸碰到溫度墻而降速，降至約1.3GB/s左右溫控結(jié)束后會(huì)恢復(fù)至3GB/s，如此循環(huán)，而在搭配主板散熱模塊使用的情況下，最高溫度只有46℃且全程壓力測(cè)試沒降速，前面的滿載壓力測(cè)試只是極端的使用狀態(tài)，日常使用狀態(tài)下基本不會(huì)出現(xiàn)這樣因觸碰溫度墻而限速，當(dāng)然，最好還是使用散熱模塊來輔助降溫。

之前將《極限競(jìng)速：地平線5》安裝SATA固態(tài)硬盤里，在某種程度上來說，SATA固態(tài)硬盤的讀寫性能應(yīng)付這游戲是足夠的，不過保不住后臺(tái)程序同時(shí)在讀寫文件，假如在游戲里長(zhǎng)距離高速的駕駛飛馳，有時(shí)候會(huì)跑著跑著前方的地圖細(xì)節(jié)變透明了，然后游戲會(huì)提示串流帶寬不足，將游戲轉(zhuǎn)存這塊固態(tài)硬盤后就沒出現(xiàn)過了。

《極限競(jìng)速：地平線5》的地圖數(shù)據(jù)文件確實(shí)十分龐大，很考驗(yàn)固態(tài)硬盤的讀寫性能，相比于之前使用SATA固態(tài)硬盤，無論是游戲的啟動(dòng)速度還是加載速度都明顯的快，等待的時(shí)間會(huì)縮短不少，同樣反映在大型應(yīng)用程序啟動(dòng)與項(xiàng)目的加載，尤其是視頻素材數(shù)量多且文件大時(shí)，能有效避免剪輯時(shí)的卡頓或等候加載的情況出現(xiàn)。

總評(píng)：

這款致鈦PC005 Active 512GB固態(tài)硬盤搭載慧榮的SM2262EN主控，搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)3D TLC閃存顆粒，在讀寫性能方面確實(shí)有著突出的表現(xiàn)，實(shí)測(cè)固態(tài)硬盤的持續(xù)讀寫速度可達(dá)3500MB/s與2300MB/s，而緩?fù)鈱懭胨俣热瘫３衷?00MB/s以上。另外在容量占用80%的情況下，無論是讀寫速度還是緩存容量都沒有變化，只是在極限壓力測(cè)試情況下，主控會(huì)有因觸碰溫度墻而降速的情況，條件允許的情況下還是建議為其安裝散熱模塊，整體性能表現(xiàn)完全不比其它PCIe 3.0的高端固態(tài)硬盤差，而且擁有320TBW寫入壽命且支持五年質(zhì)保時(shí)間，對(duì)用戶而言解決了后續(xù)質(zhì)保的顧慮，其實(shí)更多的是廠商對(duì)自身產(chǎn)品的一種自信。

致鈦PC005 Active作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款消費(fèi)級(jí)M.2固態(tài)硬盤產(chǎn)品，整體性能表現(xiàn)確實(shí)令人印象深刻，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的后起之秀，通過自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的閃存顆粒，在如此短的時(shí)間內(nèi)追趕上來，讀寫性能不輸其它原廠品牌的同級(jí)別產(chǎn)品，實(shí)屬不易。