前言：

前面的文章說過，今年618我喜提新臺機(jī)，并開始試著玩起了內(nèi)存超頻。好嘛，這一玩起來，發(fā)現(xiàn)超頻還真有點(diǎn)意思，上一款內(nèi)存被我榨得差不多了，所以我又換了個對象。這次就來分享一下金百達(dá)DDR4 2666的超頻折騰經(jīng)過吧。

外觀：

這款DDR4 2666內(nèi)存并沒有散熱馬甲，外觀樸素。它采用單面設(shè)計(jì)，正面8個內(nèi)存顆粒，每個顆粒容量1G，其中左側(cè)四個顆粒被貼紙覆蓋著。

給內(nèi)存顆粒來個特寫，可以看到這些內(nèi)存顆粒來自國內(nèi)廠商CXMT（長鑫存儲），顆粒型號為CXDQ3A8AM-CQ。

再看背面，PCB板做工精細(xì)，電容、電阻、線路排列整齊，金手指也毫無瑕疵。

上機(jī)體驗(yàn)：

上機(jī)后，通過CPU-Z和臺風(fēng)軟件可以看到這款金百達(dá)DDR4 2666內(nèi)存的各項(xiàng)信息參數(shù)：

它采用長鑫存儲內(nèi)存顆粒，單條8G容量，頻率2666MHZ,內(nèi)存時序19-19-19-43，默認(rèn)工作電壓1.2V，生產(chǎn)日期位2022年5月9-13日。

從XMP CERTIFIED信息來看，超頻到3000MHZ應(yīng)該沒有問題。

用AIDA64簡單跑了下測試，可以看到讀取/寫入/復(fù)制速度分別是39595MB/S，38519MB/S和38187MB/S，比我上次超頻用的銘瑄終結(jié)者DDR4 2666速度要快一些，那么超頻性能會不會也更好一些呢？那就拭目以待吧。

超頻經(jīng)過及結(jié)果

開機(jī)時按住Delete進(jìn)入主板BIOS并開啟XMP.

然后按F7進(jìn)入高級模式，在Ai Tweaker選項(xiàng)里找到內(nèi)存頻率，并選擇想要超頻的頻率。

我先嘗試超頻到3000MHZ，使用一切正常，測試結(jié)果如上圖，讀/寫/復(fù)制速度相比超頻前有10%-15%的提升。

繼續(xù)超頻到3200MHZ，讀取/寫入/復(fù)制速度分別提升到了47661MB/S、46164MB/S和44557MB/S，相比超頻前分別提升了20%、20%和17%！

繼續(xù)往上超頻，開始遇到問題：3400MHZ下無法正常開機(jī)，3300MHZ下可以正常開機(jī)，也能跑測試，但是會遇到不穩(wěn)定，比如選擇睡眠后再喚醒會藍(lán)屏重啟。

目前在我手里，3200MHZ是這款金百達(dá)DDR4 2666的超頻極限，這個頻率下可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的日常使用，沒有遇到過問題，再往上超頻就會遇到不穩(wěn)定甚至無法開機(jī)。

下面再補(bǔ)充一點(diǎn)超頻失敗后怎么辦的知識吧。

超頻失敗了怎么辦

在XMP技術(shù)推出之后，超頻變得容易了許多，但是依然有失敗的風(fēng)險。比如說，我超頻到3400MHZ后直接開機(jī)黑屏無法啟動，那怎么辦呢？

對于我這塊華碩B660重炮手主板來說，內(nèi)存超頻失敗后，斷電過幾分鐘，再開機(jī)，會有一個提示，按F1鍵可以進(jìn)BIOS，然后在BIOS里重新設(shè)置內(nèi)存頻率即可。

那如果斷電幾分鐘后開機(jī)依然黑屏呢？這個時候可以先給電腦斷電，然后把主板電池取下來放幾分鐘再裝回去，然后再開機(jī)進(jìn)入BIOS重新設(shè)置內(nèi)存頻率。

或者拿主板電池?fù)赶聛恚业街靼迳系腃LRTC，拿一把螺絲刀將CLRTC的兩個針腳短路放電，過幾分鐘在把電池裝回去，然后嘗試開機(jī)進(jìn)入BIOS重新設(shè)置內(nèi)存頻率。

一般來說，內(nèi)存超頻失敗并不是什么后果很嚴(yán)重的事情，要解決也不難。

總結(jié)：

這款金百達(dá)DDR4 2666內(nèi)存給我的印象如下：

• 造型簡樸，但性能表現(xiàn)非常不錯，日常運(yùn)行非常穩(wěn)定；
• 超頻性能很不錯，開啟XMP后可以輕松達(dá)到3200MHZ頻率，相較超頻前提升性能20%左右；
• 價格目前已經(jīng)下探到140元以下，性價比非常突出！

無論是普通家庭用戶或者超頻玩家，這款金百達(dá)DDR4 2666內(nèi)存都能很好地滿足要求。

金百達(dá)（KINGBANK）8GB DDR4 2666 臺式機(jī)內(nèi)存條

京東：￥135.90

去看看