前言

大家好，我是噩夢飄雷~

DDR5內(nèi)存上市也有一年有余了，之前主力機(jī)還是AMD 5600X+B550主板的組合，雖然性能也算夠用，但是PCIe4.0的通道還是略少，并且無法體驗DDR5內(nèi)存的性能，不得不說是個遺憾。

一直耳聞DDR5內(nèi)存的時序和延遲較高，不過現(xiàn)在在內(nèi)存廠商和主板廠商的努力下，不僅DDR5內(nèi)存的頻率有了極大提升，并且還有主板廠商為解決該問題開發(fā)了高帶寬、低延遲模式之類的黑科技，以求盡力壓榨內(nèi)存性能。

為了以后能夠更加方便地對DDR5內(nèi)存等產(chǎn)品進(jìn)行測試，本次搭建了一套方便拆裝設(shè)備的開放式測試平臺。

本文的主題，就是分享這套測試平臺的搭建思路，同時對DDR5內(nèi)存在不同頻率下的性能表現(xiàn)，以及高帶寬低延遲技術(shù)對DDR5內(nèi)存性能的優(yōu)化效果進(jìn)行實測。

其中測試用的內(nèi)存使用了雷克沙 ARES 戰(zhàn)神之刃 RGB DDR5 6000 16Gx2的套條，使用了雷克沙精選的海力士內(nèi)存顆粒，開啟XMP即可超頻至6000MHz，還支持RGB燈效提高戰(zhàn)斗力。

測試主板使用了技嘉的B760M AORUS PRO AX WiFi小雕主板，最高支持將DDR5內(nèi)存超頻至7600MHz，并且還有御三家中獨有的內(nèi)存高帶寬低延遲模式黑科技。

全文1萬余字，先放省流結(jié)論吧：

DDR5內(nèi)存超頻前后的性能表現(xiàn)，通過最直觀的AIDA64內(nèi)存基準(zhǔn)測試結(jié)果可以看得非常清楚：

從上圖中，我們可以得出以下結(jié)論：

1.雷克沙這套DDR5內(nèi)存在XMP至6000MHz頻率后，相較于4800MHz默頻，內(nèi)存性能有15%以上的綜合提升；

2.在技嘉B760M主板高帶寬低延遲技術(shù)的加持下，同頻率狀態(tài)下內(nèi)存性能有10%左右的綜合提升，且頻率越高，綜合提升越明顯；

3.在XMP技術(shù)和技嘉B760M主板的高帶寬低延遲技術(shù)的加持下，雷克沙這套DDR5內(nèi)存的性能整整提升了30%以上，幾乎獲得了脫胎換骨般的變化。

此外，在整個測試過程中，還使用了其他多個軟件進(jìn)行對比測試，大家感興趣的話，可以接著往下看看詳細(xì)測試過程及總結(jié)。

一、內(nèi)存超頻性能實測

由于本次測試的目的，主要是探索DDR5內(nèi)存在默頻與XMP狀態(tài)不同頻率下的性能區(qū)別，并且觀察技嘉B760M主板高帶寬低延遲功能的實際使用效果，所以分別在4組不同的場景中分別使用不同軟件進(jìn)行了針對性測試，分別是：

1. 4800MHz默頻
2. 4800MHz默頻+高帶寬低延遲
3. 6000MHz XMP
4. 6000MHz XMP+高帶寬低延遲

測試分組主要是基于下圖中的計劃來設(shè)計的：

所采用的測試項目共6項，分別是：

1. AIDA64內(nèi)存基準(zhǔn)測試
2. 7-ZIP壓縮/解壓縮性能測試
3. PerformanceTest內(nèi)存評分測試
4. 魯大師內(nèi)存評分測試
5. 3DMark TimeSpy評分測試
6. PCMark10綜合評分測試

另外，技嘉B760M主板想要開啟高帶寬低延遲模式的話，需要先將BIOS更新至最新的F2f版本，然后進(jìn)入BIOS首頁中即可看到這兩個功能的開關(guān)選項了。

以下為各軟件在4組場景中的詳細(xì)測試過程，為了方便大家對測試結(jié)果有較為直觀的概念，所以均對數(shù)據(jù)進(jìn)行了圖表化處理：

1.AIDA64內(nèi)存基準(zhǔn)測試

4組場景在該測試中的速度表現(xiàn)如下圖所示：

內(nèi)存延遲結(jié)果如下：

從匯總的測試結(jié)果我們可以看出，雷克沙DDR5內(nèi)存在XMP超頻到6000MHz后，內(nèi)存讀寫性能與延遲表現(xiàn)均得到了明顯提升，高頻條的性能優(yōu)勢一覽無余。

其次，無論是否開啟XMP功能，在DDR5內(nèi)存同頻率的情況下，啟用技嘉B760M主板的高帶寬低延遲模式后，內(nèi)存的讀取、寫入、拷貝速度均有肉眼可察的明顯提升，并且延遲明顯下降，技嘉獨家的高帶寬低延遲黑科技確實能有效提升內(nèi)存性能，這一波成功幫玩家白嫖到了更強(qiáng)的內(nèi)存性能。

下面我們具體來分析各次測試的數(shù)據(jù)。

▼4800MHz默頻的測試結(jié)果如下：

讀取速度為70196MB/s

寫入速度為68249MB/s

拷貝速度為67023MB/s

延遲為89.4ns

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式的測試結(jié)果如下：

讀取速度為73977MB/s，比照4800MHz默頻70196MB/s，提升約5.4%

寫入速度為74406MB/s，比照4800MHz默頻68249MB/s，提升約9%

拷貝速度為72423MB/s，比照4800MHz默頻67023MB/s，提升約8%

延遲為82.7ns，比照4800MHz默頻89.4ns，下降約7.4%

▼XMP 6000MHz的測試結(jié)果如下：

讀取速度為84611MB/s，比照4800MHz默頻70196MB/s，提升約20%

寫入速度為80659MB/s，比照4800MHz默頻68249MB/s，提升約18.2%

拷貝速度為78475MB/s，比照4800MHz默頻67023MB/s，提升約17%

延遲為77.9ns，比照4800MHz默頻89.4ns，下降約12.9%

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式的測試結(jié)果如下：

讀取速度為92204MB/s，比照6000MHz 84611MB/s，提升約9%

寫入速度為93504MB/s，比照6000MHz 80659MB/s，提升約16%

拷貝速度為89392MB/s，比照6000MHz 78475MB/s，提升約14%

延遲為69.5ns，比照6000MHz 77.9ns，下降約10.8%

然后我們回過頭來，將性能最強(qiáng)的XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式與4800MHz默頻的性能相比較：

讀取速度提升約31.4%，寫入速度提升約37%，拷貝性能提升約33.4%，延遲下降約22.6%。

綜合各組數(shù)據(jù)可見，在目前XMP至6000MHz高頻和技嘉主板高帶寬低延遲技術(shù)的雙重作用下，雷克沙的這套DDR5內(nèi)存整整提升了3成有余，幾乎可以說是脫胎換骨般的變化。

尤其是延遲數(shù)據(jù)一項，已經(jīng)基本逼近了我在Zen3平臺將DDR4內(nèi)存超頻至3733 C16的水平，并且可以預(yù)測，將DDR5內(nèi)存手動超頻至6800MHz以上時，在低延遲技術(shù)的加持下，延遲水平真的能和DDR4內(nèi)存一較高下。在這種情況下，DDR5內(nèi)存延遲較高的問題已經(jīng)基本得到解決，高帶寬的優(yōu)勢一覽無余。

2.7-ZIP壓縮/解壓縮性能測試

4組場景在該測試中的評分表現(xiàn)如下圖所示：

7-ZIP之類的壓縮類軟件在壓縮/解壓縮過程中，需要考量的是一臺電腦的綜合性能，從測試結(jié)果可以看出，DDR5內(nèi)存的性能提升對于此類軟件還是有所作用的。

▼4800MHz默頻的測試結(jié)果如下：

壓縮得分：117.048GIPS

解壓縮得分：120.152GIPS

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式的測試結(jié)果如下：

壓縮得分：123.415GIPS，比照4800MHz默頻117.048GIPS提升約5.4%

解壓縮得分：130.931GIPS，比照4800MHz默頻120.152GIPS提升約9%

▼XMP 6000MHz的測試結(jié)果如下：

壓縮得分：125.824GIPS，比照4800MHz默頻117.048GIPS提升約7.5%

解壓縮得分：128.390GIPS，比照4800MHz默頻120.152GIPS提升約6.8%

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式的測試結(jié)果如下：

壓縮得分：134.962GIPS，比照6000MHz 125.824GIPS提升約7.3%

解壓縮得分：132.798GIPS，比照6000MHz 128.390GIPS提升約3.4%

3.PerformanceTest評分測試

PerformanceTest是一款由PassMark Software開發(fā)的性能測試軟件，它內(nèi)置了單獨的內(nèi)存測試項目，可以幫助我們測試計算機(jī)系統(tǒng)的性能，以及比較不同系統(tǒng)之間的性能差異。此外，PerformanceTest還提供了一個可視化的評分報告，可以幫助我們更好地理解測試結(jié)果。

4組場景在PerformanceTest評分測試中的評分表現(xiàn)如下圖所示：

內(nèi)存在4800MHz默頻情況下，通過開啟高帶寬低延遲功能，就獲得了與6000MHz相似的評分，這倒是一個有趣的結(jié)果。

▼4800MHz默頻下，評分為3246。

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式下，評分為3548，比照4800MHz默頻有9.3%的提升。

▼XMP 6000MHz下，評分為3532，比照4800MHz默頻有8.8%的提升。

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式下，評分為4027，比照6000MHz有14%的提升，比照4800MHz默頻有24%的提升。

4.魯大師內(nèi)存性能評分

雖然魯大師在目前已經(jīng)基本淪為性能跑分測試工具和驅(qū)動安裝器一樣的存在了，不過有很多新手同學(xué)還是比較認(rèn)這個跑分結(jié)果，所以在這兒也一并做了測試。

4組場景在新版魯大師內(nèi)存評分測試中的結(jié)果表現(xiàn)如下圖所示：

可能是由于采用的內(nèi)存測試算法不同，通過新版魯大師測試得來的內(nèi)存評分差距并不如AIDA64那么顯著，不過通過可視化圖表，我們依然能看到，內(nèi)存在超頻和啟用高帶寬低延遲功能后，存在較為明顯的性能提升。

▼4800MHz默頻下，評分為1613500。

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式下，評分為1640268，比照4800MHz默頻有1.6%的提升。

▼XMP 6000MHz下，評分為1667684，比照4800MHz默頻有3.3%的提升。

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式下，評分為1731006，比照6000MHz有3.8%的提升，比照4800MHz默頻有7.3%的提升。

5.TimeSpy評分

3DMark也是一款硬件基準(zhǔn)測試軟件，不過測試項目偏于游戲向，并無對內(nèi)存的單獨測試。

但是考慮到在使用核顯的情況下，核顯會使用共享內(nèi)存作為自身顯存使用，內(nèi)存的性能提升也會對核顯造成影響；并且內(nèi)存延遲降低也會直接提升CPU的性能發(fā)揮水平，所以在這里同樣進(jìn)行了3DMark中的TimeSpy性能測試。

4組場景在TimeSpy評分測試中的結(jié)果表現(xiàn)如下圖所示：

由結(jié)果可見，內(nèi)存性能的提升對于顯卡測試結(jié)果影響并不算大，不過對于CPU性能提升作用倒是非常明顯，內(nèi)存超頻的效果還是實實在在的。

▼4800MHz默頻下，總分?jǐn)?shù)為931，顯卡分?jǐn)?shù)為799，CPU分?jǐn)?shù)為15476。

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式下，總分?jǐn)?shù)為948，顯卡分?jǐn)?shù)為813，CPU分?jǐn)?shù)為16203。

▼XMP 6000MHz下，總分?jǐn)?shù)為933，顯卡分?jǐn)?shù)為800，CPU分?jǐn)?shù)為16547。

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式下，總分?jǐn)?shù)為957，顯卡分?jǐn)?shù)為821，CPU分?jǐn)?shù)為17478。

6.PCMark10綜合評分

PCMark10是針對現(xiàn)代化辦公下的全面PC綜合性能測試軟件，使用一整套全面的測試項目，涵蓋現(xiàn)代辦公場所中的各種任務(wù)。高頻DDR5內(nèi)存不僅對游戲有用，而且在實際辦公過程中，也能提升一定的體驗。

因此，在這里也用這款軟件模擬辦公場景進(jìn)行了4組測試，評分結(jié)果如下：

內(nèi)存畢竟只是整套PC環(huán)境中的一個組件而已，在這種模擬復(fù)雜的辦公場景的測試中，并不能完全體現(xiàn)出內(nèi)存性能提升帶來的變化，這里的結(jié)果大家瞅瞅參考一下就得了。

▼4800MHz默頻下，總評分為6225

▼4800MHz+高帶寬低延遲模式下，總評分為6205

▼XMP 6000MHz下，總評分為6224

▼XMP 6000MHz+高帶寬低延遲模式下，總評分為6288。

二、測試平臺搭建思路

1.處理器：i5 13600K

距離AMD的Zen4與Intel 13 代酷睿的發(fā)布已經(jīng)有一段時間了，目前CPU的價格也來到了一個比較穩(wěn)定的區(qū)間。就目前的消息來看，Zen4架構(gòu)的CPU對DDR5內(nèi)存的超頻不太友好，高頻容易上不去，并且13代酷睿的性能在CPU天梯圖上也要反壓Zen4一頭，因此這里還是決定采用最新的Intel 13代酷睿處理器更保險些。

13代酷睿處理器依然沿用了12代的大小核設(shè)計，由于采用了更加優(yōu)秀的架構(gòu)，性能比上代產(chǎn)品提升巨大。B760芯片組雖然無法給CPU超倍頻，但是考慮到以后還可能對Z790芯片組的主板進(jìn)行CPUI超頻測試，因此還是選擇了價格比較友好的i5 13600K。

i5 13600K擁有14核心20線程，單P核最大睿頻頻率5.1GHz，單E核最大睿頻頻率3.9GHz，性能要比上一代的i7 12700K還要強(qiáng)。并且i5 13600K自帶UHD770核顯，即使在不插獨立顯卡的情況下依然能夠亮機(jī)，平時用來簡單辦公也是毫無壓力。

2.主板:技嘉B760M AORUS PRO AX WIFI小雕

本次用來測試的技嘉B760M AORUS PRO AX WIFI小雕是一塊M-ATX版型的主板，在擴(kuò)展性和尺寸方面達(dá)到了比較好的平衡，也是銷量最高的主板版型。AORUS小雕系列是技嘉主板產(chǎn)品線的中高端定位，適合追求性能極致的電競玩家選擇。技嘉的主板目前經(jīng)過官網(wǎng)注冊后可以享受第一年以換代修、延保至4年的服務(wù)，在售后服務(wù)還是有很大優(yōu)勢的。

文章開頭就說到，技嘉為自家B760芯片組主板開發(fā)了DDR5內(nèi)存的高帶寬和低延遲模式，只需要經(jīng)過極其簡單的設(shè)置，即可幫助用戶進(jìn)一步壓榨DDR5內(nèi)存的性能潛力，屬實是免費白嫖內(nèi)存性能的黑科技了，在目前的主板御三家中算是獨一份。

同時，這塊主板支持XMP3.0技術(shù)，只要搭配的DDR5內(nèi)存具備足夠的超頻潛力，最高可以將內(nèi)存超頻至7600MHz，很適合追求極致性能的游戲愛好者、硬件發(fā)燒友選擇。

在這塊最新一代的B760M小雕主板上，技嘉延續(xù)了硬件堆料狂魔的一貫作風(fēng)，使用了2盎司銅電路板+6層PCB的設(shè)計，用料十分扎實。

同時，在供電、芯片組、南橋和M.2 SSD槽位上都大面積覆蓋了銀色的散熱裝甲，不僅能保持主板的穩(wěn)定和低溫，并且顏值頗高。散熱裝甲使用了CNC工藝加工，顏值頗高，無論是深色系還是白色系裝機(jī)主題都很適合。

主板的CPU插槽繼續(xù)采用了intel LGA1700接口，同時支持13代和12代酷睿CPU。CPU部分的供電接口為8+4PIN，核心供電方面采用了12+1+1相供電，單相最高支持60A大電流，應(yīng)對13600K這種TDP功耗只有125W的CPU輕輕松松，即使是功耗更高的13900K也沒啥壓力。

作為一塊M-ATX版型的主板，技嘉B760M AORUS PRO AX WiFi小雕主板依舊為標(biāo)準(zhǔn)的4槽內(nèi)存設(shè)計，最高支持128G內(nèi)存容量。與上一代B660芯片組主板類似，這塊主板有DDR5和DDR4兩個版本，大家可以根據(jù)自己的需求選擇內(nèi)存類型。

接口方面，主板提供了2個M.2 2280固態(tài)硬盤插槽，都支持PCIe4.0 x4，其中靠近CPU的M.2硬盤位有散熱裝甲覆蓋，可以直通CPU。顯卡下方的第二條M.2硬盤位由南橋轉(zhuǎn)接而來，使用了快拆卡扣設(shè)計，無需工具即可徒手完成安裝硬盤，兼容22110兩種尺寸規(guī)格。

主板提供了2條PCIe x16插槽，靠近CPU的插槽使用合金裝甲進(jìn)行了加固，速率為PCIe4.0 x16，適合安裝獨立顯卡。值得一提的是，為了解決越來越厚的顯卡插拔難的問題，技嘉為這個槽位優(yōu)化了卡扣快拆設(shè)計，卡扣扳手向CPU方向，即顯卡背板上方的方向進(jìn)行了平移，不用將手伸到顯卡下方才能松開卡扣了。第二條PCIe x16插槽的速率為PCIe4.0 x4，可以插一些轉(zhuǎn)接卡增強(qiáng)擴(kuò)展性。

此外，主板還配備了4 個SATA 接口，左側(cè)還有2個雷電擴(kuò)展卡插座，通過擴(kuò)展可以實現(xiàn)40Gbps的高速傳輸，擴(kuò)展性十足。

在網(wǎng)絡(luò)接口方面，這塊主板提供了Realtek 2.5G有線網(wǎng)卡以及Intel AX211 WiFi6E無線網(wǎng)卡。AX211支持2.4/5/6 GHz頻段的WiFi網(wǎng)絡(luò)，最高支持160MHz 2x2mimo，無線速率最高可以達(dá)到2400Mbps，隨主板還附送了一塊造型十分拉風(fēng)的外置天線，有助于增強(qiáng)WiFi和藍(lán)牙的信號強(qiáng)度。

主板的后置I/O區(qū)域使用了白色的一體化擋板，提供的接口十分豐富。其中光USB接口就提供了9個，包括4個USB2.0接口，1個USB 3.2 Gen2 Type-A（10Gbps）接口，3個USB 3.2 Gen1 Type-A （5Gbps）接口，1個USB Type-C（20Gbps）接口。此外，還提供了DP/HDMI核顯輸出接口，1個2.5G網(wǎng)口，WiFi6E網(wǎng)卡的天線端子接口以及板載聲卡的音頻輸入、輸出、光纖接口。

3.內(nèi)存：雷克沙 ARES 戰(zhàn)神之刃RGB DDR5 6000MHz

之前自己購買的雷克沙SD卡和U盤等產(chǎn)品用著都挺靠譜的，對這個品牌很有好感，所以本次的DDR5內(nèi)存繼續(xù)選擇了雷克沙 ARES 戰(zhàn)神之刃 DDR5 6000MHz的32G套條進(jìn)行測試。

雷克沙戰(zhàn)神之刃系列的DDR5內(nèi)存采用了全鋁金屬散熱馬甲，石墨灰配色，機(jī)甲風(fēng)格的設(shè)計棱角分明，金屬質(zhì)感相當(dāng)出色。

這套內(nèi)存支持Intel XMP 3.0技術(shù)和AMD EXPO技術(shù)，可以在BIOS中一鍵超頻至6000MHz頻率，時序為CL34-38-38-76。同時，還支持DDR5內(nèi)存的one-die-ecc糾錯功能，相比DDR4內(nèi)存顯著提高了穩(wěn)定性，減少了數(shù)據(jù)出錯的可能性。

內(nèi)存頂部是半透明的導(dǎo)光條，表面為磨砂質(zhì)感，支持與主流主板廠商進(jìn)行RGB燈光同步，也可以使用雷克沙的自家軟件調(diào)整，過渡燈效非常柔和。

XMP至6000MHz后時序為CL34-38-38-76。

使用Thaiphoon Burner查看顆粒信息，這套內(nèi)存使用了海力士的m-die顆粒，有網(wǎng)友實測，手動超頻摸到6800MHz輕輕松松。

用CPU-Z查看，默頻狀態(tài)下為4800MHz，時序為CL40-39-39-76，

由于本次篇幅所限，之后有時間的話會嘗試用手動超頻的方式摸一摸這套內(nèi)存的體質(zhì)上限，到時候再開一貼吧。

4.硬盤：雷克沙 NM800 Pro 1T

自己之前入手測試的幾塊PCIe4.0固態(tài)硬盤基本都使用了聯(lián)蕓主控和長江存儲顆粒的方案，在性能方面大同小異。趁著這次裝機(jī)的機(jī)會，就想順便體驗一下其他方案PCIe4.0固態(tài)硬盤的性能表現(xiàn)，于是搭配著內(nèi)存一起入手了雷克沙的NM800 Pro 1T版本。

這塊NM800 Pro 1T版是雷克沙的旗艦級PCIe4.0帶緩固態(tài)硬盤，主控為12nm制程的英韌IG5236，采用NVMe 1.4協(xié)議。顆粒為江波龍自封的美光176層B47R TLC顆粒，獨立DRAM緩存則是來自江波龍旗下FORESEE的LPDDR4內(nèi)存顆粒，單顆容量1GB。

由于采用了單面布局，所以在硬盤的背面并無元器件存在，這倒是個好消息。畢竟目前多數(shù)主板自帶的固態(tài)硬盤散熱裝甲只能對單面進(jìn)行散熱，并且在筆記本中使用時候，可以使用導(dǎo)熱墊將硬盤發(fā)熱輕松傳導(dǎo)至D殼。

官方標(biāo)稱的順序讀取為7500MB/s，順序?qū)懭胨俣?300MB/s，隨機(jī)讀取速度為1000K IOPS，隨機(jī)寫入1100K IOPS，2T版本的速度更快。

經(jīng)過CrystalDiskMark初步測試，順序讀取速度為7131MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?404MB/s，至關(guān)重要的4K隨機(jī)讀取速度為95MB/s，達(dá)到了目前PCIe4.0旗艦固態(tài)硬盤的頂級水平。需要說明的是，一般來說AMD CPU測出的順序讀寫速度普遍要強(qiáng)于同代Intel CPU，這里由于使用了i5 13600K，所以尚未發(fā)揮出這塊硬盤在順序讀寫方面的最強(qiáng)實力。

另外CrystalDiskMark中最后一列7分讀3分寫的混合讀寫測試，對于硬盤的綜合讀寫性能更有壓力，直接反映了硬盤的多操能力，6524MB/s的數(shù)據(jù)已經(jīng)是非常亮眼的表現(xiàn)了。

這塊硬盤并非此次測試的主角，不過我在后續(xù)也會使用性能發(fā)揮更加徹底的AMD平臺對其進(jìn)行全面詳細(xì)的測試，敬請期待。

5.顯示器

顯示器使用的是最近入手的紅魔27寸電競顯示器，使用了2K Fast-IPS面板，可以實現(xiàn)240Hz的超高刷新率和1ms GTG極速響應(yīng)，99% sRGB/10bit色域覆蓋+色深，且經(jīng)過了出廠校色，色準(zhǔn)△E<2，還支持HDR 400，對于以后測試顯卡很有幫助。

另外，這臺電競顯示器兼容AMD的Free-Sync和NVIDIA的G-Sync，不管是A卡用戶還是N卡用戶，玩游戲的時候都可以有效減少畫面卡頓撕裂。同時，支持HDR 400，自帶RGB背光氛圍燈，簡直是游戲用戶的絕配。

在接口方面，自帶兩個HDMI 2.0接口+DP1.4接口+Type-C接口，其中Type-C接口支持90W反向充電，連接筆記本和小主機(jī)時也可以在視頻傳輸?shù)耐瑫r給設(shè)備充電，方便易用得很。

6.電源

電源我選擇的是振華LEADEX VG1000W，這是一款很有特色的短機(jī)身金牌認(rèn)證ATX白色電源，選擇它的最主要因素就是因為，這是體積最小的1000W ATX電源之一，短邊長度只有13cm，幾乎與SFX電源的12.5cm差不多了。

短機(jī)身電源裝起來有多舒服，相信裝過先馬趣造之類緊湊型M-ATX機(jī)箱的朋友都有體會，不僅走線方便，而且還部分布局特殊的機(jī)箱中，還能為越來越龐大的顯卡留出更多的空間。常規(guī)1000W ATX電源的長度一般都在16cm，部分實力較強(qiáng)的廠商能做到14cm，而這種13cm長的ATX電源只有寥寥幾家電源大廠才能生產(chǎn)。

畢竟將電源做小是挺難的，變壓器和同步整流器的微型化都很考驗技術(shù)水平，這從目前一線大廠的1000W SFX電源普遍都在兩千元左右價位就可見一斑。將ATX電源做到這么13cm小，一方面適應(yīng)了目前機(jī)箱小型化的趨勢，另一方面相比SFX電源也節(jié)約了預(yù)算，對于有需要的朋友來說，還是很香的。

振華LEADEX VG1000W電源本身通過了80plus 金牌認(rèn)證，轉(zhuǎn)換效率較高，使用了全日系電容，配合智能識別雙過功率保護(hù)技術(shù)專利，可以保證輸出功率瞬間達(dá)到峰值時硬件的安全性，這對于Nvdia 30系、40系的旗艦顯卡來說非常重要。雖然體積看著很卡哇伊，但是帶個i9 1390K +4090都輕輕松松，在以后的測試過程中也不需要為電源擔(dān)心了。

作為振華電源的招牌特色，這臺全模組電源依舊使用了免識別九宮格模組結(jié)構(gòu)，甭管是CPU供電還是PCIE顯卡供電、SATA供電，多種線材共用同一種接口，不僅接線更加快捷整潔，最關(guān)鍵的是不用擔(dān)心將主板端與電源端的接口插錯從而引發(fā)設(shè)備燒毀之類的風(fēng)險。

線材方面，標(biāo)配了柔性白色軟線，做工和柔軟度很好，無需再單獨花錢定制線材了。

同時，這臺短小精悍的電源還內(nèi)置了一個12cm的FDB大風(fēng)扇，無需為長時間運行過程中的散熱問題擔(dān)心。風(fēng)扇也支持ECO & AUTO雙智能溫控系統(tǒng)，啟用ECO模式時，在45%負(fù)載以下風(fēng)扇會停止轉(zhuǎn)動保證靜音；關(guān)閉ECO模式進(jìn)入AUTO模式后，則可以自動檢測環(huán)境溫度與負(fù)載來調(diào)整風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，最大限度減少電源風(fēng)扇的噪音，這在機(jī)箱放在桌面上時非常實用。

7.其他配件

除了上邊提到的裝機(jī)4大件外，剩余的配件我們其實可以根據(jù)自己的選擇自由搭配。

由于本次要搭建的是測試用主機(jī)，不免要經(jīng)常更換各種板卡，所以我選擇使用了一套國產(chǎn)的鋁制開放式機(jī)架JXK K1，支持E-ATX、ATX、M-ATX、ITX等各種主板版型，方便主板拆裝，并且還支持120、140、240、280和360水冷，功能性方面還是挺全的。

講道理這款機(jī)架的做工并不算完美，仔細(xì)觀察表面，清晰可見加工痕跡和一些刮擦小瑕疵。不過用料是十足十的8mm厚航空鎂鋁合金板，表面經(jīng)過了陽極氧化，螺絲孔位也鑲嵌了鋼套，扎實穩(wěn)定得很。

結(jié)合300多元的售價，這個機(jī)架綜合來看還是讓人比較滿意的。

CPU散熱器用的是前年雙12入手的利民Frozen Magic 240冰封幻境，這散熱器是看站內(nèi)爆料沖動下單的，買來一直沒拆封，吃灰了許久。實測壓制i5 13600K還是輕松愜意的，室溫20℃的情況下，待機(jī)溫度30℃左右，用AIDA64給CPU進(jìn)行CPU/FPU雙烤，溫度能輕松壓制在80℃以下。

8.操作系統(tǒng)

由于目前階段，Win10系統(tǒng)對于13代酷睿處理器的大小核調(diào)度機(jī)制并不完善，所以本次測試使用的操作系統(tǒng)是微軟最新的Win11專業(yè)版22H2：

雖然Win11帶著一股子濃濃的咖喱味，但是硬著頭皮用下來竟然還覺得越來越習(xí)慣了……不過這都不重要，只要能更好地服務(wù)于測試，用啥系統(tǒng)都無所謂啦。

總結(jié)

DDR5內(nèi)存的頻率雖然要比DDR4內(nèi)存高出一截，并且使用了單條雙通道技術(shù)，在帶寬方面也有很大的優(yōu)勢，但是時序普遍高于DDR4內(nèi)存。所以在上市之初，DDR5內(nèi)存的延遲普遍較高，這在一定程度上限制了其性能的發(fā)揮。

技嘉B760M AORUS ELITE AX小雕WIFI主板搭載的高帶寬低延遲模式可以切切實實地提升DDR5內(nèi)存性能，在此技術(shù)的加持下，DDR5內(nèi)存的讀寫帶寬更大、延遲更低，而且最關(guān)鍵的該功能是完全免費，相當(dāng)于讓我們直接白嫖了10%以上的內(nèi)存性能。并且啟用該功能的整個操作過程極為簡單，基本可以說會進(jìn)BIOS就行。

同時，經(jīng)過技術(shù)的發(fā)展，目前DDR5內(nèi)存顆粒的品質(zhì)越來越好，頻率上限越來越高，雷克沙ARES 戰(zhàn)神之刃 DDR5內(nèi)存使用了海力士顆粒，超頻潛力較大，結(jié)合XMP3.0/EXPO技術(shù)，可以自動將內(nèi)存超頻至6000MHz，同樣能帶來15%以上的性能提升。

二者相配合，就好像“金風(fēng)玉露一相逢，便勝卻人間無數(shù)”一般，直接這套將DDR5內(nèi)存的性能提升了小半，對于不會手動給DDR5內(nèi)存超頻的新手用戶十分友好，強(qiáng)烈推薦各位入手使用。