前言：

DDR5內(nèi)存條現(xiàn)階段價格已逐漸走向平價，對于玩家來說確實是件好事！尤其是高頻率內(nèi)存條可以帶來更好的頻寬表現(xiàn)，在各方面的軟件、游戲應(yīng)用都可以達到更好的性能。那么今天要開箱介紹的是光威的天策系列DDR5內(nèi)存條，我入手的頻率版本是6400Mhz，32GB套條。雖然這款沒有帶RGB燈效，但是它卻采用了目前主流的海力士A-die顆粒，具有充足的超頻潛力！在入手它之前，我就十分期待它的性能表現(xiàn)，如今到手后，它的表現(xiàn)如何？讓我們一起來看看吧！

設(shè)計：

光威新一代的天策DDR5內(nèi)存條，采用了海力士A-die顆粒，頻率為DDR5 6400MHz，時序為CL32，帶來數(shù)據(jù)傳輸延遲更低的流暢體驗。所有顆粒均為手工挑選以確?？煽啃?，支持XMP3.0、EXPO、On-die ECC智能糾錯、加強版PMIC電源管理芯片等等。

那么首先我們來看下它的外觀設(shè)計，光威 天策系列DDR5 6400MHz內(nèi)存條本體的鋁制散熱片采用對稱式設(shè)計，外觀十分帥，頂部有光威的英文LOGO，背面貼有內(nèi)存工作頻率、容量等參數(shù)貼紙。

內(nèi)存條的背面有其工作頻率、容量等信息的貼紙，它的型號為VGM5UH64C32AG，規(guī)格為DDR5 6400MHz CL32-38-38-90，工作電壓為1.35V。

DDR5與DDR4最不一樣的地方是供電設(shè)計在內(nèi)存條上，以前的DDR4內(nèi)存條供電放在主板上，而新一代的DDR內(nèi)存條則是將它移到DIMM PCB之上，這樣做的好處在于，它能以更短的距離提升信號的完整性。光威這款內(nèi)存條也是如此的設(shè)計，并且采用了加強版PMIC電源管理芯片，強化了電源供電，為電腦運行與內(nèi)存超頻提供了穩(wěn)定性。

裝機后效果非常好，非常適合白色主題的電腦硬件，雖然它不帶RGB效果，但并不會影響它的整體顏值，我個人還是非常喜歡這款內(nèi)存條的。

性能測試：

這次搭配的測試平臺來自英特爾第13代CPU+Z790平臺，具體配置如下，那么接下來我們一起來看下光威 天策系列DDR5 6400MHz內(nèi)存條實際性能如何吧！

光威這款DDR5 6400MHz內(nèi)存條，在CPU-Z和BIOS的SPD中都能看到相關(guān)信息，其采用的是海力士A-die顆粒，支持XMP 3.0和EXPO。再開啟XMP 3.0后，6400MHz頻率下的內(nèi)存測試中，讀取、寫入和復制帶寬分別是100923MB/s、100024MB/S、96937MB/s，內(nèi)存的延遲則為64ns。

值得一提的是，有些用戶可能使用的內(nèi)存并不能超頻至高頻，或者CPU體質(zhì)不佳，那么我們還能通過技嘉Z790 AERO G主板的BIOS固件（目前BIOS最新版本是F5d版本），其中的Low Latency（低延遲）和High Bandwidth（高帶寬）技術(shù)來獲得更高的帶寬以及延遲表現(xiàn)。這里為了驗證低延遲和高帶寬技術(shù)，我將內(nèi)存頻率設(shè)置為6400MHz頻率和CL32時序，比較內(nèi)存開啟低延遲和高帶寬技術(shù)前后的性能表現(xiàn)。

此時，讀取、寫入和復制帶寬分別達到了100.18GB/s、100233MB/S、97334MB/s，內(nèi)存的延遲為63ns?？梢钥吹阶x寫復制得到提升，延遲也得到了降低。

對于新手來說，開啟XMP3.0或EXPO后就能輕松擁有好性能。而對于喜好超頻的玩家們來說，則可以關(guān)閉自動超頻技術(shù)，手動調(diào)整頻率、電壓、時序。那么，接下來我們也勢必要榨干這2根內(nèi)存的極限。不過需要注意的是，超頻至高頻時，需要對內(nèi)存的相關(guān)電壓進行調(diào)整，比如這里我將SA電壓設(shè)置為1.1V，它不需要設(shè)置太高。內(nèi)存參考頻率設(shè)置為133，Gear模式設(shè)置為自動不分頻。VDDQ電壓一般可以在1.35V到1.5V之間，VDD2大概在1.35V左右。VDD A0設(shè)置為1.5V、VDDQ A0設(shè)置為1.5V和VPP A0設(shè)置為1.9V，在找到預期的最高且相對穩(wěn)定的頻率后再調(diào)整內(nèi)存的小參，時序設(shè)置為CL38-48-48-48。

這里我們分別測試了7000MHz、7600MHz等頻率下的性能表現(xiàn)。在7000Mhz頻率下，內(nèi)存的讀取、寫入和復制帶寬分別達到了108.42GB/S、106.14GB/S、101.73GB/s，延遲為62ns。在7600Mhz頻率下，內(nèi)存的讀取、寫入、復制分別達到了113.64GB/s、110.92GB/s、109.31GB/s，延遲降至54ns。

結(jié)語：

光威天策系列內(nèi)存條定位高頻率、高性能，表現(xiàn)也非常出色！測試數(shù)據(jù)中也可以看到EXPO(或XMP)設(shè)定的DDR5-6400表現(xiàn)就相當出色，頻寬有著100000MB/s表現(xiàn)，延遲更只有64ns，有著低時序CL32果然就是厲害！即使是不會超頻的玩家也可輕松擁有好性能，輕松享受到一鍵超頻帶來的樂趣，和高性能表現(xiàn)。而超頻至7600MHz時，頻寬有著破110GB/s優(yōu)質(zhì)表現(xiàn)。那么，如果近期你有裝機的打算，那么光威這款DDR5內(nèi)存一定要選擇入手哈！

光威（Gloway）32GB(16Gx2)套裝 DDR5 6400 臺式機內(nèi)存 天策系列-皓月白 海力士 A die CL32

京東：￥769

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