終于等到24G單根的DDR5內(nèi)存的鋪貨(雖然依舊難搶),相比之前的16G單根,24G的顆粒和控制器都使用全新方案,可以緩解目前DDR5內(nèi)存容量/性能只能二選一的問題。
下面和大家分享一下這對宏碁冰刃7200MHz的測試數(shù)據(jù)與超頻教程,歡迎點贊收藏打賞三連,由于平時時間有限且評論區(qū)溝通效率低,有復(fù)雜問題咨詢請單獨聯(lián)系。
給懶得看完的朋友做個總結(jié):
?? 24G內(nèi)存是緩解目前高頻DDR5內(nèi)存只能雙槽的方案之一,兩根48G的容量能滿足大部分常規(guī)生產(chǎn)力需求,比較期待48G單根的量產(chǎn)鋪貨。
?? 相比單顆粒2G的16G/32G容量DDR5內(nèi)存,單顆粒24G更適合手動超頻一些,CPU體質(zhì)OK+主板支持的前提下可以很輕松上8000MHz頻率,下文會分享超頻經(jīng)驗。
如果你是Adobe全家桶這類生產(chǎn)力用戶,24G單根的宏碁冰刃絕對是優(yōu)先選擇,畢竟開個XMP就7200MHz頻率了,搭配御三家BIOS的內(nèi)存性能提升效果拔群。
最后提醒下各位,宏碁冰刃7200MHz的預(yù)設(shè)電壓給的比較低,理論上稍差體質(zhì)的CPU和B760芯片組主板都能輕松開,極少數(shù)特殊體質(zhì)的CPU不好說。
根據(jù)AIDA64抓取的SPD信息可以看到相關(guān)參數(shù):
● 首先是硬件方案,依舊是主流的瀾起科技控制器+海力士顆粒,只不過單顆粒從之前的2G升級到了3G。
● 其次JEDEC預(yù)設(shè),默認是5200MHz/5600MHz頻率,內(nèi)存運行電壓則是1.1V,符合DDR5內(nèi)存降壓降溫的趨勢。
● 其次是XMP(廠商超頻)預(yù)設(shè),最高位7200MHz頻率,時序為C36-46-46-115,最關(guān)鍵的電壓給得很低,內(nèi)存運行電壓為1.35V。
● 最后,部分低端主板可能會降頻到4000MHz頻率+開不了XMP,和JEDEC/內(nèi)存廠商無關(guān),正常的,手動超頻可以解決。
相比老款高頻內(nèi)存動不動就1.4V起步的運行電壓,宏碁冰刃7200MHz預(yù)設(shè)電壓相當?shù)?,這也意味著對CPU體質(zhì)和主板供電的寬容度很高,但和4800MHz的初代型號不兼容。
先說一下測試環(huán)境,大家可以參考下。
1?? 內(nèi)存丨宏碁冰刃7200MHz 24G
簡介:本文的核心評測品,除了缺貨以外目前沒啥缺點的24G型號,宏碁內(nèi)存之所以是目前超頻優(yōu)選,在于除了超頻強悍之外,其PCB用料和散熱件工藝都非常頂,同時也有著非常不錯的RGB燈。
比較有趣的是宏碁原裝送了個內(nèi)存風(fēng)扇,搭配支架直接裝在主板上就行,可以一定程度緩解高頻內(nèi)存的高溫問題,當然僅限于7600MHz及以內(nèi),8000MHz建議還是上效能機箱扇。
2?? CPU丨Intel i9-14900K
簡介:強烈建議生產(chǎn)力環(huán)境上14代Intel,i7以上相比13代有著更出色的溫度+電壓控制,意味著能上更高功耗,同時內(nèi)存控制器也有大幅升級,這兩塊在紙面參數(shù)上體現(xiàn)不出來。
3?? 主板丨技嘉 Z790 AORUS ELITE X WIFI7
簡介:老演員了,畢竟DDR5時代技嘉是目前最強廠商,BIOS中開啟的高帶寬+低延遲模式是懶人和生產(chǎn)力神器,下文也會用到這倆功能。
作為內(nèi)存廠商官方超頻,XMP的開啟比較簡單,開機按Del鍵,在首頁修改下圖圈出來的三項:
● XMP修改為XMP1預(yù)設(shè)
● High Bandwidth修改為啟用
● Low Latency修改為啟用
這里直接照抄就行,適合穩(wěn)定使用的用戶。
TM5測試就不用做了,百分百穩(wěn)過,所以這里直接上跑分,首先是代表讀寫能力的AIDA64,測試數(shù)據(jù)如下圖所示:
● 讀取速度為111.49GB/s
● 寫入速度為110.46GB/s
● 拷貝速度為105.97GB/s
● 延遲為63.8ns
由于開了技嘉的內(nèi)存黑科技,整體數(shù)據(jù)還是不錯的,非御三家主板數(shù)據(jù)正常要低5-10%,。
下面進入手動超頻環(huán)節(jié),適合精細化生產(chǎn)力環(huán)境和超頻玩家,切記,超頻前確認主板已經(jīng)更新到最新BIOS+內(nèi)存有專門的散熱器,具體操作流程如下:
● 基本盤起手→摸CPU+內(nèi)存甜點電壓→穩(wěn)定過測后加頻率→微調(diào)CPU+內(nèi)存電壓→穩(wěn)定過測后加頻率→得出最終穩(wěn)定參數(shù)。
● 以上最重要的環(huán)節(jié)是摸甜點電壓,SA電壓和內(nèi)存電壓比較好摸,后續(xù)提升內(nèi)存頻率也只需要微調(diào),難點是CPU的VDD2和VDDQ這兩項電壓,頻率上去變數(shù)比較大。
其實整體流程+基本盤和16G超頻幾乎無差,但是對電壓的寬容度很高,我是摸了三輪就摸到了甜點電壓,由于之前寫過詳細超頻教程里就簡單點,給大家講解下關(guān)鍵參數(shù)的配置。
上面提到的TM5報錯代碼對應(yīng)的調(diào)整方案如下圖所示,建議完整跑完測試再看,不要有報錯就關(guān)掉,看看出現(xiàn)頻率高的錯誤代碼是啥,綜合去判斷哪些電壓是需要修改的。
第一步,進入BIOS的“頻率/電壓控制”,停用下圖圈出來的所有選項,頻率也可以直接修改成8000MHz。
第二步,進入上圖的“高級內(nèi)存設(shè)定”配置頁面,修改下圖圈出來的三項:
● 內(nèi)存參考頻率修改為100
● Gear模式修改為Gear2
● SA GV修改為停用
以上直接照抄。
第三步,進入上圖的“內(nèi)存通道時序”配置頁面,修改下圖圈出來的四項:
● tCL修改為38
● tRCD修改為50
● tRP修改為50
● tRAS修改為78
這組時序非常寬松,直接照抄,能穩(wěn)定過TM5之后可以嘗試修改成C36-48-48-78。
第四步,回到“頻率/電壓控制”首頁,一定要看說明,修改下圖圈出來的三項:
● CPU代理電壓修改為1.30V,如果TM5報對應(yīng)錯誤,單次調(diào)整電壓±0.01V。
● VDDQ CPU電壓修改為1.32V,如果TM5報對應(yīng)錯誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
● VDD2 CPU電壓修改為1.41V,如果TM5報對應(yīng)錯誤,單次調(diào)整電壓±0.01V。
VDDQ和VDD2電壓我這里給的很低,部分CPU的甜點電壓比較高,單次加壓一定要少,千萬別一下子直接加很高,很容易錯過甜點電壓。
第五步,上一步頁面進入“內(nèi)存電壓控制”頁面,修改下圖圈出來的三項:
● VDD電壓修改為1.425V,如果TM5報對應(yīng)錯誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
● VDDQ電壓修改為1.425V,如果TM5報對應(yīng)錯誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
● VPP電壓修改為1.9V,改完就不用動了。
和CPU電壓一樣,單次加壓一定要少,全部配置完成后點“儲存并離開”,保存配置并重啟電腦,按照上面的流程圖循環(huán)加頻率測試,直至修改電壓也過不了TM5測試。
最后一步,最高頻率穩(wěn)定后,回到BIOS,保存超頻配置后,嘗試開啟下面兩項功能:
● High Bandwidth修改為啟用
● Low Latency修改為啟用
這兩項開了可能會過不了測試,可以降低200MHz的內(nèi)存頻率再開啟,兩套配置取讀寫最高的用就行。
我這套設(shè)備調(diào)試完成后,最優(yōu)參數(shù)為8000MHz+C38-50-50-78,能開高帶寬模式,TM5(1usmus)過測,測試數(shù)據(jù)如下圖所示:
● 讀取速度為117.57GB/s / 對比XMP提升5.45%
● 寫入速度為113.90GB/s / 對比XMP下降3.11%
● 拷貝速度為112.17GB/s / 對比XMP下降5.85%
● 延遲為64.3ns / 對比XMP上浮0.78%
對生產(chǎn)力環(huán)境而言,這5%的免費提升已經(jīng)很不錯了,別指望能有質(zhì)變哈。
最后再給大家劃一下手動超頻的重點:
● 第一,24G內(nèi)存的時序和16G幾乎沒區(qū)別,調(diào)試tCL、tRCD、tRP和tRAS這四項主參數(shù)即可,其他小參不用動,因為動了也不會有明顯變化。
● 第二,如果你用的是14代CPU,不要給高電壓,不要給高電壓,不要給高電壓,重要的事情說三遍,給高了反而穩(wěn)不住,除非你的CPU體質(zhì)非常特殊。
● 第三,御三家主板BIOS中的內(nèi)存提升功能視情況開,我這里8000MHz能開高帶寬,但低延遲開了就崩,以能過TM5測試不報錯為標準就好。