承接上一篇24Gx2的DDR5內(nèi)存超頻教程，本文和大家分享是24Gx4插滿的相關(guān)測(cè)試，使用內(nèi)存為性?xún)r(jià)比屠夫金百達(dá)的新品刃系列白色RGB 6800MHz 新規(guī)格24G，比較亮眼的是一次就點(diǎn)亮6800MHz的XMP預(yù)設(shè)并且成功過(guò)TM5測(cè)試，屬實(shí)是懶人/生產(chǎn)力福利。

還是老樣子，本文測(cè)試的比較細(xì)，包含XMP自動(dòng)超頻+手動(dòng)超頻兩部分，有大容量+高頻率內(nèi)存需求的用戶(hù)可以參考，歡迎點(diǎn)贊收藏打賞三連，由于平時(shí)時(shí)間有限且評(píng)論區(qū)溝通效率低，有復(fù)雜問(wèn)題咨詢(xún)請(qǐng)單獨(dú)聯(lián)系。

? 省流總結(jié)

給懶得看完的朋友做個(gè)總結(jié)：

?? 本次案例CPU的體質(zhì)屬于小雕級(jí)別（雙槽8000MHz），主板則是中高端檔位的技嘉小雕X，打算上24Gx4的朋友準(zhǔn)備的預(yù)算應(yīng)該和我這套差不多，具備參考性。

?? 24G的DDR5內(nèi)存現(xiàn)在極其混亂，JEDEC和主板廠商標(biāo)準(zhǔn)完全不統(tǒng)一，內(nèi)存廠商的電壓+時(shí)序預(yù)設(shè)也都不一樣，所以四根插滿盡量買(mǎi)相同型號(hào)，混用大概率開(kāi)不了XMP。

?? 實(shí)話實(shí)說(shuō)，雖然我這套設(shè)備能成功開(kāi)XMP一次點(diǎn)亮過(guò)測(cè)，但并不代表所有設(shè)備都行，依舊得看CPU體質(zhì)（IMC）和主板支持，內(nèi)存本身并不是重要決定因素。

?? 四根7200MHz頻率給的各項(xiàng)電壓和雙根8000MHz基本一致，如果打算手動(dòng)超頻沖擊更高頻率，一定要做好內(nèi)存散熱，不然必定無(wú)法穩(wěn)定使用。

?? 同頻率同硬件平臺(tái)情況下，四根插滿的讀寫(xiě)能力會(huì)比兩根差一些，少了約3%，對(duì)精細(xì)化生產(chǎn)力環(huán)境而言，得在容量與讀寫(xiě)能力中自行取舍。

? 內(nèi)存參數(shù)解析

為了防止有新手朋友不清楚，說(shuō)一下24G內(nèi)存的特點(diǎn)：

● 24G內(nèi)存單顆粒為3G，高頻幾乎清一水的海力士M-DIE，三星和鎂光顆粒依舊不太行。

● 24G內(nèi)存強(qiáng)在PMIC上，也就是電壓控制芯片，可以以更低的電壓運(yùn)行更高頻率。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，對(duì)比之前主流的16G單根內(nèi)存，24G單根內(nèi)存不僅僅是單槽可以提供更大容量，同時(shí)也有著更好的能耗比+更高的手動(dòng)超頻上限。

回歸這組金百達(dá)刃24G 6800MHz，物理結(jié)構(gòu)和16G版本區(qū)別沒(méi)那么大，依舊是10層PCB+工業(yè)級(jí)散熱硅脂填充，燈區(qū)由16顆ARGB燈珠組成。

通過(guò)ThaiphoonBurner可以看到這四根內(nèi)存的基礎(chǔ)性能參數(shù)，性能預(yù)設(shè)如下圖所示：

● JEDEC預(yù)設(shè)一共有八組，意味著兼容性很好，最優(yōu)一組為4800MHz+C40。

● 廠商預(yù)設(shè)一共兩組，包含Intel的XMP和AMD的EXPO，均為6800MHz+C34。

單獨(dú)說(shuō)一下時(shí)序小參，金百達(dá)給的比較低，所以即使只是開(kāi)啟XMP也會(huì)有較低的延遲，這點(diǎn)相當(dāng)不錯(cuò)。

通過(guò)AIDA64可以看到XMP預(yù)設(shè)的電壓信息，電壓預(yù)設(shè)如下圖所示：

● VDD電壓為1.4V

● VDDQ電壓為1.4V

● VPP電壓為1.8V

可以看到金百達(dá)給的電壓其實(shí)不高，常規(guī)高頻內(nèi)存一般都會(huì)給1.42V左右，由于VPP電壓給的比較低，所以確實(shí)存在特殊體質(zhì)CPU開(kāi)啟XMP過(guò)不了自檢的可能性，手動(dòng)超頻破之。

? 本次測(cè)試環(huán)境

先說(shuō)一下測(cè)試環(huán)境，大家可以參考下。

1?? 內(nèi)存丨金百達(dá)刃6800MHz 24Gx2

簡(jiǎn)介：本文使用的案例內(nèi)存，都說(shuō)金百達(dá)只是便宜而已，其實(shí)這四根內(nèi)存測(cè)試下來(lái)真不錯(cuò)，使用XMP的6800MHz沒(méi)加風(fēng)扇也能過(guò)TM5壓力測(cè)試。

2?? CPU丨Intel i9-14900K

簡(jiǎn)介：老演員，體質(zhì)分CP值為95，強(qiáng)烈建議生產(chǎn)力環(huán)境上14代Intel，i7及以上相比13代有著更出色的溫度+電壓控制。

3?? 主板丨技嘉 Z790 AORUS ELITE X WIFI7

簡(jiǎn)介：老演員，DDR5時(shí)代技嘉是目前最強(qiáng)廠商，BIOS中開(kāi)啟的高帶寬+低延遲模式是懶人和生產(chǎn)力神器，下文也會(huì)用到這倆功能。

? 廠商超頻測(cè)試

首先是XMP測(cè)試，開(kāi)啟比較簡(jiǎn)單，開(kāi)機(jī)按Del鍵進(jìn)入BIOS，首頁(yè)修改下圖圈出來(lái)的XMP選項(xiàng)：

● Intel用戶(hù)請(qǐng)修改為XMP1預(yù)設(shè)

● AMD用戶(hù)請(qǐng)修改為EXPO1預(yù)設(shè)

之后保存并重啟電腦，啟動(dòng)可能比較慢，如果長(zhǎng)時(shí)間啟動(dòng)不了（過(guò)不了自檢），請(qǐng)長(zhǎng)按主板上的ClearCMOS按鈕或者摳主板電池重置BIOS，直接去手動(dòng)超頻。

如果能成功進(jìn)系統(tǒng)并過(guò)TM5壓力測(cè)試，再重新進(jìn)入BIOS，嘗試開(kāi)啟主板的提升功能。

● High Bandwidth修改為啟用

● Low Latency修改為啟用

這里放一下測(cè)試圖，TM5的1us腳本過(guò)測(cè)，使用6800MHz+C34的XMP預(yù)設(shè)，測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為100.29GB/s

● 寫(xiě)入速度為101.24GB/s

● 拷貝速度為100.43GB/s

● 延遲為65.8ns

看過(guò)上一篇兩根超頻的朋友應(yīng)該發(fā)現(xiàn)了問(wèn)題，按頻率比例來(lái)說(shuō)，這四根內(nèi)存的讀寫(xiě)速度比兩根要低一些，這是正常的。

這里放一下和內(nèi)存性能直接掛鉤的解壓縮測(cè)試做量化對(duì)比，使用7-Zip自帶的Benchmark，測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 10輪測(cè)試的最終分?jǐn)?shù)為220.280GIPS

? 手動(dòng)超頻測(cè)試

超頻流程就不重復(fù)介紹了，四根插滿的超頻上限要比兩根低很多，和大家說(shuō)一下四擋硬件的基本盤(pán)：

● 較差體質(zhì)CPU+不管啥主板，能穩(wěn)定6000MHz+C32就算成功。

● 一般體質(zhì)CPU+二線主板的四槽Z系列主板，6400MHz+C32基本都沒(méi)問(wèn)題。

● 一般體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板，6800MHz+C34基本都沒(méi)問(wèn)題。

● 大雕體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板，可以嘗試摸7600MHz+C36甚至更高。

本次演示環(huán)境屬于第三檔，最后手動(dòng)超頻也是成功超到7200MHz+C34過(guò)測(cè)，如果你的板U連6800MHz的XMP預(yù)設(shè)都過(guò)不去，就得手動(dòng)修改電壓進(jìn)行微調(diào)。

說(shuō)完基本盤(pán)就是電壓，本次四根7200MHz穩(wěn)定過(guò)測(cè)的各項(xiàng)電壓參數(shù)和兩根8000MHz差不多，僅需要微微降低VDD2和內(nèi)存電壓，這個(gè)結(jié)論沒(méi)大量案例支持不一定準(zhǔn)，僅供大家參考。

下面分享下我的超頻配置，請(qǐng)大家注意區(qū)分可以抄和不能超的地方，都會(huì)有說(shuō)明的第一步，進(jìn)入BIOS的“頻率/電壓控制”：

● 停用下圖圈出來(lái)的所有選項(xiàng)

● 頻率修改為你的目標(biāo)

以上直接照抄，初次超頻千萬(wàn)不要給太高頻率，一點(diǎn)一點(diǎn)加。

第二步，進(jìn)入上圖的“高級(jí)內(nèi)存設(shè)定”配置頁(yè)面，修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng)：

● 內(nèi)存參考頻率修改為100

● Gear模式修改為Gear2

● SA GV修改為停用

以上直接照抄。

第三步，進(jìn)入上圖的“內(nèi)存通道時(shí)序”配置頁(yè)面，修改下圖圈出來(lái)的四項(xiàng)：

● tCL修改為34

● tRCD修改為48

● tRP修改為48

● tRAS修改為78

這組時(shí)序非常寬松，7200MHz及以?xún)?nèi)的頻率直接照抄。

第四步，回到“頻率/電壓控制”首頁(yè)，一定要看說(shuō)明，修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng)：

● CPU代理電壓修改為1.30V，如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。

● VDDQ CPU電壓修改為1.32V，如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。

● VDD2 CPU電壓修改為1.42V，如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。

VDDQ和VDD2電壓我這里給的很低，部分CPU的甜點(diǎn)電壓比較高，單次加壓一定要少，千萬(wàn)別一下子直接加很高，很容易錯(cuò)過(guò)甜點(diǎn)電壓。

第五步，上一步頁(yè)面進(jìn)入“內(nèi)存電壓控制”頁(yè)面，修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng)：

● VDD電壓修改為1.42V，如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。

● VDDQ電壓修改為1.42V，如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。

● VPP電壓修改為1.9V，改完就不用動(dòng)了。

和CPU電壓一樣，單次加壓一定要少，全部配置完成后點(diǎn)“儲(chǔ)存并離開(kāi)”，保存配置并重啟電腦，按照上面的流程圖循環(huán)加頻率測(cè)試，啟動(dòng)可能比較慢，千萬(wàn)不要急。

放一下測(cè)試圖，TM5的1us腳本過(guò)測(cè)，使用6800MHz+C34的XMP預(yù)設(shè)，開(kāi)啟大帶寬+低延遲模式，測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為106.30GB/s，對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升5.99%。

● 寫(xiě)入速度為107.08GB/s，對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升5.77%。

● 拷貝速度為106.47GB/s，對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升6.01%。

● 延遲為62.0ns，對(duì)比XMP預(yù)設(shè)優(yōu)化6.13%。

其次是7-Zip自帶的Benchmark，測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 10輪測(cè)試的最終分?jǐn)?shù)為224.323GIPS，對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升1.84%。

雖然看著提升不大，實(shí)際上用得到大容量?jī)?nèi)存的場(chǎng)景一般都是多任務(wù)，如果多進(jìn)程并發(fā)運(yùn)行且每個(gè)都能有1%的提升，那么累加起來(lái)就不少了。

最后對(duì)比四根插滿與僅上兩根的數(shù)據(jù)，兩根7200MHz+C36+大帶寬低延遲模式的測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 兩根7200MHz的讀取速度為111.49GB/s，對(duì)比四根7200MHz高出4.88%。

● 兩根7200MHz的寫(xiě)入速度為110.46GB/s，對(duì)比四根7200MHz高出3.16%。

● 兩根7200MHz的拷貝速度為105.97GB/s，對(duì)比四根7200MHz低了0.47%。

● 兩根7200MHz的延遲為63.8ns，對(duì)比四根7200MHz高出2.90%。

通過(guò)數(shù)據(jù)對(duì)比可以得出結(jié)論，在同頻率前提下，即使兩根組的時(shí)序更高，四根的讀寫(xiě)能力綜合來(lái)看也是略差，我個(gè)人認(rèn)為可以接受，畢竟DDR4也這樣。

? 本文完