有沒有發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在的手機(jī)，對于使用者來說大多性能是過剩的，哪怕是一款中端機(jī)，也是如此。但是這事在PC上他并沒有發(fā)生，PC上的硬件基本沒有性能過剩這一說，除非你只拿來看看劇、刷刷網(wǎng)頁。而如果用來玩游戲、辦公的話，隨便幾個3A大作玩一遭就能讓你的PC盡顯疲態(tài)，而辦公的PR,PS等都能讓處理時間成倍增長。想要最快提升電腦速度，很多人最先想到的一定是內(nèi)存。當(dāng)然內(nèi)存不是唯一提升電腦速度的因素。

很多人在組裝電腦的時候，CPU和顯卡早已經(jīng)是敲定預(yù)算和型號的，在選內(nèi)存方面則會顯得比較“隨意”，在其它硬件同等條件的情況下，內(nèi)存的性能恰恰是直接影響到電腦的運(yùn)行速度、響應(yīng)時間以及能同時處理的任務(wù)數(shù)量和處理效率。如果內(nèi)存不足，電腦就需要頻繁地從硬盤等外部存儲器中讀取數(shù)據(jù)，導(dǎo)致運(yùn)行速度變慢，出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象。因此，增加內(nèi)存可以顯著提升電腦的性能，尤其是在處理大型軟件、游戲或多任務(wù)操作時。

借著有史以來最不費(fèi)腦的一期618，我們來選選適合自己的內(nèi)存：施主，你該升級電腦了。

那么我們是增加內(nèi)存是增加容量還是頻率呢？其實這兩個是內(nèi)存中很重要的參數(shù)，除此之外，內(nèi)存性能還受別的參數(shù)影響，我們一個一個說。

一、內(nèi)存容量重不重要？

其實內(nèi)存容量大小和PC的運(yùn)行速度沒有必然的關(guān)系，內(nèi)存的主要作用是給CPU運(yùn)行提供數(shù)據(jù)緩存空間，其大小決定了CPU一次可以緩存多少數(shù)據(jù)，從而影響可以同時運(yùn)行的程序數(shù)量。但是內(nèi)存容量卻很重要，發(fā)生多任務(wù)卡頓如果CPU沒吃滿那就是內(nèi)存容量不夠用了。而基于win10/11下日常辦公或普通家用，最低也得8G，如果進(jìn)一步想玩游戲，還是上16G，如果使用大型軟件和玩3A游戲比較多的一般就直接上24GB x 2 ,32GB x 2 了，更有48GB x 2。

這款光威龍武DDR5 6400 24GB x 2已屬于大容量范疇，極簡的造型讓人賞心悅目，采用海力士M-die 8g3顆粒，頻率達(dá)到6400MHz，有著高兼容性和穩(wěn)定性，支持Intel XMP3.0一鍵超頻，同時時序低至CL32，618期間(14日-18日)價格只需789元。你說它大容量吧，人家頻率也不低，是一款性價比和性能共存的條子。

光威龍武還有更高容量的48GB X 2規(guī)格，618期間(14日-18日)價格來到不1999元，不得不說，光威是實實在在地把內(nèi)存價格打下來的廠商，感謝國產(chǎn)品牌的崛起，讓老百姓得到實實在在的實惠。

二、頻率越高越好嗎？

接著說頻率，內(nèi)存頻率也不是越高越好。我們先要搞明白，內(nèi)存條的頻率確實是一個重要的性能指標(biāo)，它表示內(nèi)存條每秒鐘可以處理多少次數(shù)據(jù)訪問。頻率越高，意味著內(nèi)存條的處理速度越快，也就意味著在相同時間內(nèi)，可以處理更多的數(shù)據(jù)。但內(nèi)存的頻率還和很多因素掛鉤，比如主板和CPU。拿主板來說，內(nèi)存的性能受限于主板提供的傳輸通道，因此內(nèi)存頻率不應(yīng)超過主板支持的工作頻率上限，多了就是浪費(fèi)了。還有CPU，如果CPU性能較弱，高頻率的內(nèi)存也是浪費(fèi)，PC，講究的就是一個搭配，用破桶效應(yīng)來形容非常合適。

就目前來講，DDR5的內(nèi)存7000MHZ以上算是高頻內(nèi)存。更快讀寫性能，更低延時，更高效率，從而釋放CPU、顯卡性能潛力，提升電腦整體性能。

這款光威神武 DDR5 7000 32GB(16GBx2)算是光威的明星產(chǎn)品了，不單單顏值高，性能也強(qiáng)悍，采用了A-die顆粒，頻率達(dá)到了7000MHZ，時序低至CL32，采用了A-die顆粒意味著在超頻上的性能也一樣強(qiáng)悍，同時內(nèi)存雙面都采用了顯卡級的高性能硅脂散熱墊，不懼高負(fù)荷下的發(fā)熱降頻的困擾，這價位配如此散熱也是不多見的存在。

值得一提的是，光威神武7000在內(nèi)存榜連續(xù)24天蟬聯(lián)榜首，而且在618期間(14日-18日)的價格只有699元,下單還送京東PLUS年卡，難得的好機(jī)會。

三、顆粒體質(zhì)怎么選？

第三個重點(diǎn)就是內(nèi)存的顆粒了，目前全球能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠家有三星、海力士、鎂光，市面上你能看到的內(nèi)存，使用的顆粒有九成是來自這三家的。不過現(xiàn)在國產(chǎn)崛起，我們自己也能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒了，比如長鑫顆粒，好多國產(chǎn)內(nèi)存廠商在用，有光威，金百達(dá)等。按整體質(zhì)量來說，三星海力士鎂光，我們不比田忌賽馬啊。

每家的顆粒也有不同的體質(zhì)，比如就市面上常見的海力士A-die，M-die顆粒來說，對數(shù)碼玩家來說喜歡A-die多一點(diǎn)，畢竟可更輕松超高頻，但更貴，而M-die相對來說性價比更高。不過對于普通人來說A-die和M-die不管是紙面還是實際使用差距都不大。老M-Die的性價比很高，而新M-Die則因容量和性能的提升，價格可能稍高但整體性價比依然出色。

在兼容性方面，A-die具有較好的平臺兼容性，適用于各種主流平臺。M-die則要遜色一些，尤其是新M-Die在AMD平臺上的兼容性可能存在問題，更適合Intel平臺。

而主觀整個市場，三星B-die顆粒海力士M-die美光（大S）顆粒海力士M-die 3G8海力士A-die海力士B-die

依舊是這款光威神武 DDR5 7000 32GB(16GBx2)，采用海力士A-die顆粒，7000MHz頻率，運(yùn)行時序你到CL32，是游戲玩家的首先，也因為是高品質(zhì)的顆粒，超頻亦無負(fù)擔(dān)。

四、時序怎么看，

既然說到時序 ，那么最后一個我們來說說時序，內(nèi)存時序是描述內(nèi)存模塊執(zhí)行不同操作的速度的參數(shù)，也可以說是延時。它包括四個主要參數(shù)：CL（CAS Latency，內(nèi)存延遲時間）、TRCD（RAS to CAS Delay，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間）、TRP（RAS Precharge Time，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間）、TRAS（RAS Active Time，內(nèi)存行地址激活的時間）。較低的時序數(shù)值通常意味著更快的響應(yīng)時間和更高的性能。所以在其它參數(shù)相同的時候，低時序的內(nèi)存通常是更好的選擇。

在DDR4時代，時序可以做到CL16，最低可以做到CL14，不過目前DDR5能做到的最低時序是CL30，但DDR5的頻率要比DDR4高得多啊，所以這樣比沒意義，DDR3的時序更低呢，是吧。

不過內(nèi)存時序不是第一選擇要素，也不是非得選低時序的內(nèi)存，畢竟對時序敏感的人群只有少數(shù)電競玩家類的，我們購買內(nèi)存時最先考慮的應(yīng)該是容量和頻率，接著是顆粒，最后才是時序。但是不能否認(rèn)幾個參數(shù)都做得優(yōu)秀的產(chǎn)品，它的體質(zhì)一定不會差。

我發(fā)現(xiàn)光威的內(nèi)存條時序都很低，不管是大容量還是高頻率的，光威龍武 6400 16GB x 2在618期間(14日-18日)的價格已經(jīng)下探到了599元，采用海力士M-die顆粒，一樣支持ntel XMP3.0一鍵超頻,時序同樣低至CL32,加厚PCB板、信號優(yōu)化和弱化電磁干擾也一樣不落。是一款極具性價比的內(nèi)存。

最后

選DDR4還是DDR5呢？兩者接口不同，不能混用。我上面介紹的都是DDR5,所以有條件的話就直接上DDR5吧，畢竟參數(shù)上提升是巨大的，電子產(chǎn)品一貫是買新不買舊的，何況現(xiàn)在的DDR5的價格也是非常親民了，不過得有支持DDR5內(nèi)存的主板，2024年快過去一半了，不管是DDR5內(nèi)存也好，五代主板也好，都是很卷的存在，如果你現(xiàn)在正好大升級，這是一個不錯的機(jī)會。

最后各整合各段位選手，供大家參考，我很推薦光威神武 DDR5 7000 32GB(16GBx2)，性價比真的高。